 |
|
|
| Интерфейсы: интерфейс sata, интерфейс ide, интерфейс rs232, интерфейс usb, интерфейс ethernet; шины: шина pci, шина isa, шина agp, шина scsi; распиновка разъемов, схема кабеля, распайка кабелей, обжим кабеля; кодовая и цветовая маркировка диодов, конденсаторов, индуктивностей, резисторов, стабилитронов, транзисторов, варикапов и много другой полезной информации. | |
|
|
| | |
|
|
 |
|
|
|
|
|
|
|
 |
| Последние схемы |
05.06.2026 г. Кадровый голод в разработке РЗА: чем отрасль отвечает на дефицит инженеров-релейщиков
Кадровый голод в разработке РЗА: чем отрасль отвечает на дефицит инженеров-релейщиков Для разработчиков устройств РЗА кадровый голод означает обостренную конкуренцию за релейщиков и схемотехников. Профильные издания фиксируют, что большинство предприятий испытывают дефицит молодых активных кадров, способных... | 17.04.2024 г. Указатели напряжение: особенности
Работы, которые связаны с электрическими сетями, требуют особого подхода. Перед тем, как приступить к выполнению тех или иных работ, специалист должен провести проверку и понять, есть ли в проводах напряжение. Указатели напряжения – приборы, которые пользуются огромным спросом. Современные устройства... | 07.04.2024 г. Повышающий DC-DC преобразователь XL6019
Регулятор XL6019 — это преобразователь постоянного тока с широким диапазоном входного напряжения. Регулятор может быть сконфигурирован как повышающий, понижающий или инвертирующий преобразователь. Основные характеристики: Широкий диапазон входных напряжений от 5 В до 40 В Выходное напряжение: 1,25... |
| |
| |
|
|
|
| |
Справочники / Микросхемы / Серия 174 / К174УН8 - Усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом
| Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с номинальной выходной мощность до 2 Вт на нагрузку 4 Ом. Содержит 30 интегральных элементов. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более 2,0 гр. |
| Корпус ИМС К174УН8 |
Назначение выводов |
 |
| 1 |
коррекция Icc выходных транзисторов; |
| 2 |
обратная связь |
| 3 |
теплоотвод |
| 4 |
вход |
| 5 |
фильтр |
| 6 |
вольтодобавка |
| 7 |
питание +Uи.п. |
| 8 |
выход |
| 9 |
общий -Uи.п. |
|
| Типовая схема включения ИМС К174УН8 |
 |
| Электрические параметры |
| 1 |
Номинальное напряжение питания |
12 В ± 10% |
| 2 |
Ток потребления при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, Uвх = 0 В |
15 мА |
| 3 |
Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В |
4...40 |
| 4 |
Нестабильность коэффициента усиления напряжения при
Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Rн = 4 Ом |
20 % |
| 5 |
Коэффициент гармоник при Uп = 12 В, Rн = 4 Ом, fвх = 1 кГц
Uвых = 2,83 В, Рвых = 2 Вт |
2 % |
| 6 |
Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц |
10 кОм |
| 7 |
Выходная мощность при Uп = 12 В, Rн = 4 Ома |
2,5Вт |
| 8 |
Диапазон рабочих частот |
30...20 000 Гц |
| 9 |
Коэффициент полезного действия при Pвых = 2 Вт |
50 % | |
| Предельно допустимые режимы эксплуатации |
| 1 |
Напряжение питания |
13,2 В |
| 2 |
Амплитудное значение тока в нагрузке |
1,09 А |
| 3 |
Сопротивление нагрузки |
4 Ом |
| 4 |
Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда |
60 °С/Вт
135 °С/Вт |
| 5 |
Температура окружающей среды |
-25...+55 °С |
| 6 |
Температура кристалла |
+125 °С | |
| Общие рекомендации по применению |
При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ± 5 °С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания.
Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода. Допускается включение нагрузки относительно общего вывода (с заземленной нагрузкой).
Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода для соединения с навесными элементами, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.
Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах осуществляется изменением емкостей конденсаторов С2 и С4, а во всей полосе пропускания - изменением глубины отрицательной обратной связи, регулировкой сопротивления R1 и емкостью C2.
Допустимое значение статического потенциала 200 В. |
| Литература |
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с. |
| | |
|
|
|
|
| |
