 |
|
|
| Интерфейсы: интерфейс sata, интерфейс ide, интерфейс rs232, интерфейс usb, интерфейс ethernet; шины: шина pci, шина isa, шина agp, шина scsi; распиновка разъемов, схема кабеля, распайка кабелей, обжим кабеля; кодовая и цветовая маркировка диодов, конденсаторов, индуктивностей, резисторов, стабилитронов, транзисторов, варикапов и много другой полезной информации. | |
|
|
| | |
|
|
 |
|
|
|
|
|
|
|
 |
| Последние схемы |
08.04.2023 г. MP1484 импульсный DC-DC преобразователь
Импульсный преобразователь MP1484 имеет встроенные MOSFET транзисторы способные обеспечить ток нагрузки до 3 А в широком диапазоне входного напряжения, от 4,75 В до 18 В. Технические характеристики MP1484: Входное напряжение 4,75 В — 18 В Выходное напряжение 0,925 В — 17 В Номинальный выходной ток 1,8... | 16.03.2023 г. Источник питания TOP256EN 30 В / 2А (E 30/15/7 N87)
Источник питания (импульсный преобразователь) собран на ИМС TOP256EN. Схема источника питания имеет минимальный набор элементов и после сборки в настройке не нуждается. Источник питания имеет защиту от перегрузки, КЗ выхода. Выходное напряжение источника питания 30 В с максимальным током нагрузки 2 А.... | 19.11.2022 г. Источник питания TOP255EN 24 В / 2А (EE25/13/7 PC40)
Источник питания (импульсный преобразователь) собран на ИМС TOP255EN. Схема источника питания имеет минимальный набор элементов и после сборки в настройке не нуждается. Источник питания имеет защиту от перегрузки, КЗ выхода. Выходное напряжение источника питания 24 В с максимальным током нагрузки 2 А.... |
| |
| |
|
|
|
| |
Справочники / Стабилитроны
Стабилитроны - полупроводниковые диоды, предназначенные для стабилизации напряжения в источниках питания. Кремниевые стабилитроны работают в режиме обратимого лавинного или туннельного пробоя. По сравнению с обычными диодами двухэлектродные стабилитроны имеют достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и могут поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока.
Пробойный режим не связан с инжекцией не основных носителей заряда, поэтому в стабилитроне инжекционные явления, связанные с накоплением и рассасыванием носителей заряда при переходе из области пробоя в область запирания и обратно, практически отсутствуют. Это позволяет использовать их в импульсных схемах в качестве фиксаторов уровней и ограничителей, например импульсные стабилитроны КС175Е, КС182Е, КС191Е, КС210Е, КС211Е, КС212Е, КС213Е и импульсные ограничители 2С101 - 2С291, Д818.
Подробнее характеристики стабилитронов можно посмотреть ниже:
Полупроводниковые стабилитроны имеют следующие виды:
- прецизионные стабилитроны, обладающие повышенной стабильностью напряжения стабилизации (2С191, КС211, КС520);
- двусторонние стабилитроны, обеспечивающие стабилизацию и ограничение двухполярных напряжений, (2С170А, 2С182А);
- быстродействующие стабилитроны, имеющие сниженное значение барьерной ёмкости (десятки пФ) и малую длительность переходного процесса (единицы нс), что позволяет стабилизировать и ограничивать кратковременные импульсы напряжения (2С175Е, КС182Е, 2С211Е).
Полупроводниковые стабилитроны характеризуются следующими основными параметрами:
- напряжение стабилизации Uст. - напряжение на стабилитроне при заданном токе;
- минимально допустимый ток стабилизации Iст.мин. - ток, при котором пробой становится устойчивым и обеспечивается заданная надежность работы;
- максимально допустимый ток стабилизации Iст.макс. - ток, при котором достигается максимально допустимая рассеиваемая мощность Рмах;
- дифференциальное сопротивление rст.диф. - определяется отношением приращения напряжения на стабилитроне к вызвавшему его малому приращению тока: rст.диф.= ΔUст./ΔIст.;
- температурный коэффициент напряжения стабилизации (ТКН стабилизации) - определяется отношением относительного измерения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды (%, 10С): σТКН = ΔUст./ (Uст.ΔТ).
Низковольтные стабилитроны (с напряжением Uст. менее 6 В) выполняют на основе сильнолегированного кремния с малым удельным сопротивлением. В них возникает узкий р-n переход с высокой напряженностью поля, при которой получается туннельный пробой.
Низковольтные диоды с туннельным пробоем имеют отрицательный ТКН, так как вероятность туннельного пробоя возрастает с повышением температуры. При Uст. менее 6 В пробой принимает лавинный характер, а повышение температуры вызывает увеличение напряжения стабилизации, т.е. ТКН положительный.
Высоковольтные стабилитроны изготовляют на основе слаболегированного кремния с высоким удельным сопротивлением. В них ширина перехода больше, напряженность поля меньше, чем в низковольтных, а характер пробоя меняется на лавинный.
Для стабилизации напряжения разной полярности выпускаются симметричные стабилитроны, имеющие симметричную вольт-амперную характеристику (ВАХ), например, двуханодные стабилитроны 2С162А, КС113Б и др. Они применяются в качестве элементов для двухстороннего ограничения напряжения, могут использоваться так же, и как опорные стабилитроны (2С170А, КС170А). Для получения симметричной ВАХ с двух сторон пластинки кремния одновременно формируют два р-n перехода. При подаче напряжения на крайние области структуры эти переходы оказываются включенными встречно.
Для уменьшения ТКН стабилизации выпускаются термокомпенсированные стабилитроны, в которых соединены последовательно стабилитрон и р-n переход, включенный в прямом направлении. С повышением температуры падение напряжения на p-n-переходе, включенном в прямом направлении, уменьшается, а на обратно-смещенном р-n переходе при лавинном пробое растет. Таким способом, термокомпенсированные стабилитроны (например, КС211) получают малый ТКН.
Стабисторы
Стабисторы - полупроводниковые диоды, в которых для стабилизации напряжения используется прямая ветвь ВАХ. Полупроводниковые стабисторы используют кремний с относительно большой концентрацией примесей. В отличие от стабилитронов стабисторы имеют малое напряжение стабилизации (кремниевые стабисторы - около 0.7 В, германиевые стабисторы - 0.4 В). Кроме кремниевых и германиевых стабисторов промышленность выпускает и селеновые поликристаллические стабисторы, которые отличаются простотой изготовления и меньшей стоимостью. Однако, селеновые стабисторы имеют меньший гарантированный срок службы (1000 ч) и узкий диапазон рабочих температур. Последовательное соединение двух или трех стабисторов дает возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения стабилизации.
Параметры стабисторов аналогичны параметрам стабилитронов, а их максимальные ток, мощность и тепловые параметры аналогичны тем, которые имеют выпрямительные диоды. Стабисторы имеют отрицательный ТКН стабилизации. В связи с этим стабисторы используют для температурной компенсации стабилитронов с положительным коэффициентом напряжения стабилизации.
Книги по электроникеСегодня в продаже: Справочник электрика по ремонту электрооборудования промышленных предприятийИздательство: ИНФРА-М. Год: 2023. Серия: Среднее профессиональное образование. В справочнике приведены сведения по технологии ремонта основного электрооборудования — электрических машин, сварочных трансформаторов, электромагнитов, масляных силовых трансформаторов, пускорегулирующих аппаратов и силовых кабелей, а также материалов, изделий, механизмов и инструментов, применяемых при ремонте. Даны нормы пооперационных и послеремонтных испытаний, различные нормативные материалы, относящиеся к технологии ремонта электрооборудования...  Эксплуатация, диагностика и ремонт электрооборудования. Учебное пособиеИздательство: ИНФРА-М. Год: 2020. Серия: Высшее образование. Бакалавриат. В учебном пособии изложены основные понятия теории диагностики электрооборудования, организации технической эксплуатации, обслуживания и ремонта. Рассмотрены способы организации обслуживания электрических машин, трансформаторов, линий электропередач и кабелей. Предназначено для студентов-бакалавров, обучающихся по направлению подготовки...
| |
| | |
|
|
|
|
| |
